半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 斉藤 肇 |
| 发表日期 | 1999-03-16 |
| 专利号 | JP1999074603A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】 自励発振型半導体レーザ素子において、可飽和吸収層で生成されたキャリアをストライプ内のみに再注入する高効率なフォトンリサイクル動作を実現し、動作電流と雑音の低減を両立させた素子を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ素子は、第1導電型半導体基板上101に、第1導電型クラッド層102、活性層103、第2導電型第1クラッド層104、該第2導電型第1クラッド層104に達するストライプ状の溝106を有し前記活性層103よりバンドギャップの大きい電流狭窄層、及び第2導電型第2クラッド層108とを少なくとも有する半導体レーザ素子において、前記第2導電型第1クラッド層104の前記電流狭窄層非形成領域上面、及び前記電流狭窄層上面に、連続した可飽和吸収層107が形成される。 |
| 公开日期 | 1999-03-16 |
| 申请日期 | 1997-08-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76359]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 斉藤 肇. 半導体レーザ素子. JP1999074603A. 1999-03-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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