半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 松本 晃広 |
| 发表日期 | 2000-08-11 |
| 专利号 | JP2000223780A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 低出力状態では自励発振による低雑音特性が得られ、高出力状態では戻り光でのマルチ縦モード発振による低雑音特性が得られることとなり、低出力状態及び高出力状態のいずれの状態においても、雑音特性を低減することができ、低雑音特性の両立を図ることを目的とする。 【解決手段】 半導体基板上に、第1導電型クラッド層、活性層及び第2導電型クラッド層がこの順で積層され、前記第1導電型又は第2導電型クラッド層中にレーザ発振光に対する可飽和吸収層を有し、前記第2導電型のクラッド層中にストライプ状の開口を有する電流狭窄構造を有してなり、光出力2mWから5mWの低出力状態において自励発振が起こり、かつ光出力20mW以上の高出力状態において、光出力の戻り光が0.5%から20%ではマルチ縦モード発振が起こるように構成されてなる半導体レーザ素子。 |
| 公开日期 | 2000-08-11 |
| 申请日期 | 1999-02-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76373]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松本 晃広. 半導体レーザ素子. JP2000223780A. 2000-08-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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