半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 菅生 繁男 |
| 发表日期 | 1996-05-31 |
| 专利号 | JP1996139404A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 活性層のエピタキシャル成長時にバリア層が平坦性を失うことなく、良好な歪み補償構造を実現する。 【構成】 バリア層3と、このバリア層3に挟まれた量子井戸層4とは半導体レーザの活性層を形成している。量子井戸層4は圧縮歪みを持つ主量子井戸層5と、この主量子井戸層5を挟み込みかつ主量子井戸層5の圧縮歪みを補償するための引張り歪みを持つ副量子井戸層6とが積層されて形成されている。 |
| 公开日期 | 1996-05-31 |
| 申请日期 | 1994-11-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76381]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 菅生 繁男. 半導体レーザ. JP1996139404A. 1996-05-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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