光半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 菅 博文; 内藤 寿夫; 伊藤 之弘; 松井 謙; 宮島 博文 |
| 发表日期 | 1993-07-02 |
| 专利号 | JP1993167197A |
| 著作权人 | HAMAMATSU PHOTONICS KK |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 本発明は、コヒーレンス特性が良く、かつ光強度が低下しない光半導体装置を提供することを目的とする。 【構成】 複数の反射面を有する無端の導波路(19)を備えているので、光生成型の導波路長を十分長く取ることができる。ここで、出射面(20a)以外の反射面(20b、20c、20d)を全反射面とし、特定の出射面(20a)で光の大部分を反射させながら一部を透過させるようにすると、導波路(19)内を光が巡回し、導波路(19)を共振器として発振するレーザ光の出力が出射面から得られる。この共振器長は十分に長く取れるのでのレーザ光のコヒーレンス特性が向上する。一方、出射面(20a)に入射される光の大部分を透過させるようにすると、導波路(19)が光増幅用の活性領域となり、十分に長い導波路(19)で増幅された大きな出力を出射面(20a)から効率良く取り出すことができる。 |
| 公开日期 | 1993-07-02 |
| 申请日期 | 1991-12-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76399]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HAMAMATSU PHOTONICS KK |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 菅 博文,内藤 寿夫,伊藤 之弘,等. 光半導体装置. JP1993167197A. 1993-07-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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