半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 中山 秀生; 植木 伸明; 福永 秀樹; 瀬古 保次; 乙間 広己; 上柳 喜一 |
| 发表日期 | 1994-09-16 |
| 专利号 | JP1994260718A |
| 著作权人 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 不純物拡散法を使用した半導体装置の製造方法において、製造方法を簡便にすること。 【構成】 半導体装置に対してフォトリソグラフィ工程によりストライプ状のレジスト11を形成し、このレジスト11をマスクとして半導体装置の表面をエッチングにより部分的に除去し、エッチング後の半導体装置の表面に第1の不純物拡散源膜であるSi膜12,絶縁膜であるSiNx膜13,エッチング阻止膜であるSi膜14を蒸着し、レジスト11を利用したリフトオフ工程によりレジスト11とその上部に着膜された3層の膜12,13,14を除去し、リフトオフ後の半導体装置の表面に拡散保護膜であるSiO2 膜15を形成し、SiO2 膜15から不純物を熱拡散させ、SiO2 膜15を除去し、前記3層の膜12,13,14をマスクとして第2の不純物であるZnを拡散させる。 |
| 公开日期 | 1994-09-16 |
| 申请日期 | 1993-03-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76426]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中山 秀生,植木 伸明,福永 秀樹,等. 半導体装置の製造方法. JP1994260718A. 1994-09-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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