半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 大家 彰; 古森 正明; 土屋 朋信; 佐藤 宏; 青木 雅博 |
| 发表日期 | 2000-03-03 |
| 专利号 | JP2000068597A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザにおいて、高濃度p型InGaAsコンタクト層、もしくは高濃度p型InP基板から、不純物元素であるZnが活性層近傍まで拡散することによる素子の劣化を防ぎ、信頼性の優れた半導体レーザ素子を製造する。 【解決手段】 高濃度p型InGaAsコンタクト層、もしくは高濃度p型InP基板とp型InPクラッド層の間に、超格子中間層を形成する。この超格子中間層は、InAsとGaAs、もしくはInAsとGaPの超格子からなっており、これを形成する2種類の半導体層のうち、一方のみにp型不純物元素が変調ドーピングされている。 【効果】 本発明によれば、p型コンタクト層もしくはp型基板から活性層近傍へのZnの拡散を抑制でき、素子特性の劣化の少ない信頼性の優れた半導体レーザ素子が作製可能となる。 |
| 公开日期 | 2000-03-03 |
| 申请日期 | 1998-08-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76445]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大家 彰,古森 正明,土屋 朋信,等. 半導体装置. JP2000068597A. 2000-03-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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