半導体レーザ装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 中尾 正史 |
| 发表日期 | 1994-05-13 |
| 专利号 | JP1994132609A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 スペクトルの高単色性が得られる分布帰還型(DFB)半導体レーザ装置およびその製造方法を提供する。 【構成】 化合物半導体基板11上に下部クラッド層12、活性層13及び上部クラッド層12からなる半導体多層膜上に、半導体エッチングストップ層14、半導体屈折率変調層15、半導体パターン転写層16を形成する工程と、該半導体パターン転写層16に回折格子を形成する工程と、該半導体屈折率変調層15に回折格子を形成する工程と、これら回折格子を形成した半導体屈折率変調層15および該半導体パターン転写層16を半導体層18で埋め込む工程とにより、回折格子パターンを形成して半導体レーザ装置とする。 |
| 公开日期 | 1994-05-13 |
| 申请日期 | 1992-10-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76449]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中尾 正史. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP1994132609A. 1994-05-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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