半導体レーザー装置
文献类型：专利
| 作者 | 渡邊 実; 伊藤 義行; 奥田 肇 |
| 发表日期 | 2000-08-29 |
| 专利号 | JP2000236139A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザー装置 |
| 英文摘要 | 【課題】温度特性の優れた半導体レーザーを提供することを目的とする。 【解決手段】基板1上にn-In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P第一クラッド層2、活性層3、p-In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P第二クラッド層4が順次形成されている。第二クラッド層4上には開口領域を持つ電流ブロック層5が形成されている。そして第二クラッド層4及び電流ブロック層5を覆うようにp-Ga0.13Al0.85Asから成る第三クラッド層6が形成されている。第三クラッド層3上には通電容易層7、コンタクト層8、p-電極9が順次形成されている。基板1上で第一クラッド層2形成面とは反対の面上にn-電極10が形成されている。 |
| 公开日期 | 2000-08-29 |
| 申请日期 | 1999-02-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76455]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 渡邊 実,伊藤 義行,奥田 肇. 半導体レーザー装置. JP2000236139A. 2000-08-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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