半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | ▲広▼山 良治; 上谷 ▲高▼弘; 太田 潔; 米田 幸司; 庄野 昌幸; 茨木 晃; 吉年 慶一 |
| 发表日期 | 1997-12-12 |
| 专利号 | JP1997321385A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 良好な発振しきい値電流及びスロープ効率の特性を有する半導体レーザ素子を提供することが目的である。 【解決手段】 n型クラッド層3と、このn型クラッド層3上に形成された活性層5と、活性層5上に形成されたp型クラッド層7と、p型クラッド層7上に形成された所定幅のストライプ状欠除部を有しp型クラッド層7より屈折率が小さく且つ発振光のエネルギーより大きなバンドギャップを有する光閉じ込め層10と、を備え、この光閉じ込め層10の不純物濃度が5×1017cm-3以下である。 |
| 公开日期 | 1997-12-12 |
| 申请日期 | 1996-12-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76456]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ▲広▼山 良治,上谷 ▲高▼弘,太田 潔,等. 半導体レーザ素子. JP1997321385A. 1997-12-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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