半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 山田 博仁 |
| 发表日期 | 1994-09-22 |
| 专利号 | JP1994268314A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 MQWレーザのウエル数が多い場合におこる緩和振動周波数の飽和傾向を改善し、超高速応答が可能なMQWレーザを実現する。 【構成】 多重量子井戸構造のバリヤ層厚を7nm程度以下と薄くし、バリヤ層厚に応じて量子井戸(ウエル)数を決定する。3μm帯InGaAsPレーザにおいて、バリヤ層3を3nm厚とし、ウエル数を10とする。 【効果】 バリヤ層厚が薄いため、各ウエル4間での電子及びホールの波動関数の重なり合いは大きく、キャリヤ注入を行った場合の各ウエル間でのキャリヤ分布の不均一は殆ど生じなくなる。従って緩和振動周波数が向上し、高速応答実現できる。更に緩和振動周波数が向上することにより、アナログ変調用DFBレーザの高周波領域での歪特性が改善される。 |
| 公开日期 | 1994-09-22 |
| 申请日期 | 1993-03-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76462]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山田 博仁. 半導体レーザ. JP1994268314A. 1994-09-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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