分布帰還型半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 中村 幸治 |
| 发表日期 | 2008-09-25 |
| 专利号 | JP2008227367A |
| 著作权人 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 分布帰還型半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】レーザ素子外部からの反射戻り光の影響を受けにくくするとともに、光アイソレータを使用することなく低価格な光モジュールを実現し、光モジュールへ搭載した場合の伝送特性を改善するDFBレーザ素子を提供する。 【解決手段】GC型のDFBレーザ素子10であって、n-InP基板100と、この半導体基板の表面に形成した回折格子102と、回折格子上に形成したInGaAsP導波路層104と、導波路層上に形成したMQW活性層106とを具えており、導波路層のバンドギャップ波長が、活性層の発振波長の±0.1μm以内であり、InGaAsP導波路層の厚みが5nm〜30nmの範囲内であり、及び、MQW活性層の幅が0.7μm〜0μmの範囲内である。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2008-09-25 |
| 申请日期 | 2007-03-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76478]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村 幸治. 分布帰還型半導体レーザ素子. JP2008227367A. 2008-09-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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