半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 加藤 佳秋; 奥山 高康; 苅田 秀孝; 古越 堅司; 柏田 泰利 |
| 发表日期 | 1994-02-10 |
| 专利号 | JP1994037389A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 リッジ導波路を有する半導体レーザ素子の製造歩留りを向上させる。 【構成】 活性層4上にリッジサイド層8の厚さ寸法となる結晶層をエピタキシャル成長法によって形成した後、この結晶層のリッジサイド層形成領域にホトリソグラフィ技術によってマスクを設け、その後エピタキシャル成長法によってマスクから外れた前記結晶層上にエピタキシャル成長層を所定厚さに形成してリッジ7を形成する。前記リッジ7にあっては、リッジ幅は制御性の優れたホトリソグラフィ技術によって決められ、厚さは制御性の優れたエピタキシャル成長法によって決められることから高精度寸法となる。また、リッジサイド層は制御性の優れたエピタキシャル成長法によって厚さ寸法は高精度に形成される。 |
| 公开日期 | 1994-02-10 |
| 申请日期 | 1992-07-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76483]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 加藤 佳秋,奥山 高康,苅田 秀孝,等. 半導体レーザ素子の製造方法. JP1994037389A. 1994-02-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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