半導体発光素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 井上 優一; 下山 謙司; 後藤 秀樹 |
| 发表日期 | 1994-10-18 |
| 专利号 | JP1994291405A |
| 著作权人 | 三菱化成株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【構成】 端面より発光し、かつ端面に光の非吸収領域を有する発光素子であって、該光の非吸収領域が、電流狭窄のための電流ブロック領域と同一の構造を持つことを特徴とする半導体発光素子。 【効果】 本発明を用いることにより、その作成プロセスが、通常のレーザーの作成プロセスと同様になり、従来のNAM構造のレーザーと比べて、構造も簡単で、作成プロセスも簡略化される。 |
| 公开日期 | 1994-10-18 |
| 申请日期 | 1992-01-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76486]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱化成株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 井上 優一,下山 謙司,後藤 秀樹. 半導体発光素子及びその製造方法. JP1994291405A. 1994-10-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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