半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 中村 幸治; 八重樫 浩樹; 中島 徹人; 堀川 英明 |
| 发表日期 | 1997-02-07 |
| 专利号 | JP1997036476A |
| 著作权人 | 沖電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 発振横モード(垂直方向)が単一になるようになし、発振損失を低減し、高効率、高光出力を得ることができる半導体レーザを提供する。 【構成】 n-GaAs基板1上にn-InGaPクラッド層2、活性層3、p-InGaPクラッド層4を結晶成長した後、ストライプSiO2 マスクを形成し、メサエッチングを行う。次に、メサの両側の電流ブロック層として、p-InGaP層5、n-InGaP層6で埋め込み、SiO2 マスクをエッチングした後、p-InGaP層クラッド7、p+ -GaAsコンタクト層8を成長させる。この時、活性層3上のp+ -GaAsコンタクト層8を、幅1〜3μm程度のストライプ状にエッチングし取り除く。p側オーミック電極9と、n側オーミック電極10を蒸着により形成し、適切な条件でアニールする。 |
| 公开日期 | 1997-02-07 |
| 申请日期 | 1995-07-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76488]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沖電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村 幸治,八重樫 浩樹,中島 徹人,等. 半導体レーザ. JP1997036476A. 1997-02-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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