半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 百瀬 正之; 中塚 慎一; 河田 雅彦; 後藤 順; 大家 彰 |
| 发表日期 | 1998-09-11 |
| 专利号 | JP1998242575A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子 |
| 英文摘要 | 【課題】拡散により電流狭窄構造を作製する際、拡散領域の制御が難しい。そのため、幅が良く制御されたストライプ構造の作製が困難である。 【解決手段】II族元素を拡散させる層と拡散を抑制する層を導入することで、II族元素が拡散する領域を制御して、電流狭窄構造を作製する。また、量子井戸構造や超格子構成で、平坦なヘテロ界面を得る。 |
| 公开日期 | 1998-09-11 |
| 申请日期 | 1997-02-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76491]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 百瀬 正之,中塚 慎一,河田 雅彦,等. 半導体素子. JP1998242575A. 1998-09-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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