半導体レーザ装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 平本 清久; 佐川 みすず; 豊中 隆司; 篠田 和典 |
| 发表日期 | 2005-03-04 |
| 专利号 | JP3651984B2 |
| 著作权人 | 日本オプネクスト株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】リッジ部を有する半導体レーザ装置のリッジ幅の制御性を向上し、素子の歩留まりを改善する。 【解決手段】積層して形成された二つのクラッド層7、9によってリッジが構成され、上記二つのクラッド層7、9の間に、当該クラッド層7、9よりエッチング速度の低いエッチングストップ層8が介在し、リッジの側壁は(111)Aおよび(111)B面から構成される。 【効果】リッジ部を有する半導体レーザ装置におけるリッジ幅の制御性は数%以内に改善され、素子の歩留まりをほぼ100%に向上できる。 |
| 公开日期 | 2005-05-25 |
| 申请日期 | 1995-10-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76497]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本オプネクスト株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 平本 清久,佐川 みすず,豊中 隆司,等. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP3651984B2. 2005-03-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。