半導体レーザー
文献类型：专利
| 作者 | 浜口 雄一 |
| 发表日期 | 1996-12-03 |
| 专利号 | JP1996321658A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザー |
| 英文摘要 | 【目的】 低消費電力でしかも光学特性が安定な内部ストライプ構造を有する実屈折率導波型の半導体レーザーを提供する。 【構成】 (100)面方位のn型GaAs基板1上にMOCVD法によりn型Alx Ga1-x Asクラッド層2、Aly Ga1-y As活性層3、p型AlxGa1-x Asクラッド層4およびn型Alx Ga1-x As電流ストップ層5を順次成長させる。次に、ウエットエッチングによりn型Alx Ga1-x As電流ストップ層5に〈110〉方向に延在するストライプ状の溝5aを形成する。この溝5aの壁面は{111}B面となる。次に、MOCVD法によりp型Alz Ga1-z As光導波層6、p型Alx Ga1-x Asクラッド層7およびp型GaAsキャップ層8を順次成長させる。 |
| 公开日期 | 1996-12-03 |
| 申请日期 | 1995-05-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76504]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 浜口 雄一. 半導体レーザー. JP1996321658A. 1996-12-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。