半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 斉藤 肇; 松本 晃広 |
| 发表日期 | 1998-11-04 |
| 专利号 | JP1998294534A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 高出力動作時においても、素子特性が劣化せず、十分な寿命を得るとともに低雑音特性を維持することができる半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】 n-GaAs基板101上に、n-Al0.5Ga0.5Asクラッド層102、ノンドープ量子井戸活性層103、p-Al0.5Ga0.5As第1クラッド層104、p-Al0.2Ga0.8As光ガイド層105、p-Al0.14Ga0.86Asエッチングストッパ層106、p-Al0.5Ga0.5As第2クラッド層107及びp-GaAsキャップ層108を順次積層成長させ、p-AlGaAs第2クラッド層107及びp-GaAsキャップ層108をリッジ形状に加工し、n-Al0.7Ga0.3As電流阻止層109をリッジ部両側面を埋め込むように形成し、p-GaAsコンタクト層110を積層し、最後にオーミック電極を形成する。 |
| 公开日期 | 1998-11-04 |
| 申请日期 | 1998-02-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76517]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 斉藤 肇,松本 晃広. 半導体レーザ素子. JP1998294534A. 1998-11-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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