半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 皆川 重量; 田中 俊明; 石谷 善博; 大歳 創 |
| 发表日期 | 1995-09-26 |
| 专利号 | JP1995249797A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 AlGaInN系結晶から成る半導体素子に低抵抗かつ安定なオーミックコンタクトを形成する。 【構成】 AlGaInN系結晶のうえにGaP層18,19などの他のIIIV族化合物半導体をエピタキシャル成長し、このうえにオーミック電極を形成する。 【効果】 低抵抗かつ安定なオーミックコンタクトが得られ、素子の性能と信頼性が向上する。 |
| 公开日期 | 1995-09-26 |
| 申请日期 | 1994-03-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76530]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 皆川 重量,田中 俊明,石谷 善博,等. 半導体素子. JP1995249797A. 1995-09-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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