半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 中野 一志; 奥山 浩之; 戸田 淳 |
| 发表日期 | 1999-05-28 |
| 专利号 | JP1999145565A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 p型不純物の拡散を防止することにより特性を安定させかつ寿命を延長させることができる半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 基板1の上にIII-V族バッファ層2を介してn型導電層(II-VI族バッファ層3,第1導電型クラッド層4),第1のガイド層5,活性層6,第2のガイド層7,p型導電層(第2導電型クラッド層8,第1の半導体層9,第2の半導体層10,超格子層11,コンタクト層12)を順次積層する。n型導電層にはn型不純物としてClを添加する。p型導電層にはp型不純物としてK,RbおよびCsからなる群のうちの少なくとも1種のI族元素を添加する。p型不純物はII族元素の格子位置を占有しているので、通電しても拡散が生じにくく、pn接合位置が変化しない。 |
| 公开日期 | 1999-05-28 |
| 申请日期 | 1997-11-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76540]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中野 一志,奥山 浩之,戸田 淳. 半導体発光素子. JP1999145565A. 1999-05-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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