半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 村上 隆志 |
| 发表日期 | 1993-01-22 |
| 专利号 | JP1993013876A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 高出力動作可能な埋込型半導体レーザ構造を再現性良く得ることができる製造方法を提供する。 【構成】 1回目の結晶成長工程で、n-InP上クラッド層4上にn-AlGaInAs層を成長させ、このn-AlGaInAs層を埋込成長の際の選択成長マスクとして利用する。 |
| 公开日期 | 1993-01-22 |
| 申请日期 | 1991-07-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76544]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 村上 隆志. 半導体レーザの製造方法. JP1993013876A. 1993-01-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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