半導体レーザ装置、その製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 鈴木 尚文 |
| 发表日期 | 1998-09-02 |
| 专利号 | JP1998233548A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置、その製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 容易なプロセスおよび配線によってヒーターを用いたレーザ発振波長制御を行うことが可能な半導体レーザ装置、その製造方法を提供すること。 【解決手段】 本発明における半導体レーザ装置は、少なくとも半導体レーザ301と、前記半導体レーザ301を加熱して、その発振波長を可変させる機能を有する微小ヒータ103と、前記半導体レーザ301をマウントする基板101とを有し、微小ヒータ103は基板101上の半導体レーザ301と接する面側に直接形成されることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1998-09-02 |
| 申请日期 | 1997-02-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76546]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鈴木 尚文. 半導体レーザ装置、その製造方法. JP1998233548A. 1998-09-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。