半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 倉又 朗人 |
| 发表日期 | 1996-11-29 |
| 专利号 | JP1996316571A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 青から紫外域にわたる発光波長を有する半導体レーザに関し、基板の垂直劈開を利用してレーザ共振器を作製できる半導体レーザ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 立方晶系の単結晶基板10と、単結晶基板10上にエピタキシャル成長されており、その劈開面30によりレーザ共振器が構成されているエピタキシャル結晶層12とを有し、単結晶基板10の劈開面28とエピタキシャル結晶層12の劈開面30とが平行ではなく、エピタキシャル結晶層12の劈開面30と単結晶基板の表面との交線が、単結晶基板10の劈開面28と単結晶基板10の表面との交線Lにほぼ一致するように構成する。 |
| 公开日期 | 1996-11-29 |
| 申请日期 | 1996-03-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76550]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 倉又 朗人. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1996316571A. 1996-11-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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