半導体レーザ素子
文献类型:专利
作者 | 国井 達夫 |
发表日期 | 2000-02-18 |
专利号 | JP2000049412A |
著作权人 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 半導体レーザ素子 |
英文摘要 | 【課題】 広い波長範囲で連続チューニングの可能な半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ素子100は,均一な格子周期を持つ第1ブラッグ回折格子150aが形成された第1受動導波路110aと,不均一な格子周期を持つ第2ブラッグ回折格子150cが形成された第2受動導波路110cと,第1受動導波路110aと第2受動導波路110cとを接続する活性導波路110bにを備えている。ここで,第2ブラッグ回折格子150cの格子周期は,活性導波路110bから離れるに連れて長くなっている。したがって,第2受動導波路110cでの光P1の反射位置が波長依存性を示し,モード飛びを起こさずに波長チューニングが可能となる。結果として,連続チューニング可能な波長範囲が拡大する。 |
公开日期 | 2000-02-18 |
申请日期 | 1998-07-30 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76552] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 国井 達夫. 半導体レーザ素子. JP2000049412A. 2000-02-18. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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