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半導体レーザ素子

文献类型:专利

作者国井 達夫
发表日期2000-02-18
专利号JP2000049412A
著作权人OKI ELECTRIC IND CO LTD
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ素子
英文摘要【課題】 広い波長範囲で連続チューニングの可能な半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ素子100は,均一な格子周期を持つ第1ブラッグ回折格子150aが形成された第1受動導波路110aと,不均一な格子周期を持つ第2ブラッグ回折格子150cが形成された第2受動導波路110cと,第1受動導波路110aと第2受動導波路110cとを接続する活性導波路110bにを備えている。ここで,第2ブラッグ回折格子150cの格子周期は,活性導波路110bから離れるに連れて長くなっている。したがって,第2受動導波路110cでの光P1の反射位置が波長依存性を示し,モード飛びを起こさずに波長チューニングが可能となる。結果として,連続チューニング可能な波長範囲が拡大する。
公开日期2000-02-18
申请日期1998-07-30
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76552]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位OKI ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
国井 達夫. 半導体レーザ素子. JP2000049412A. 2000-02-18.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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