半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 尾江 邦重; 朝日 一 |
| 发表日期 | 1999-01-12 |
| 专利号 | JP1999008432A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 三元混晶を用いて、温度変動に対して波長があまり変化しない半導体レーザを再現性よく得ることを可能とし、かつ光通信用波長帯の面発光レーザを得ることも可能とする構造を備える半導体レーザを提供する。 【解決手段】 半導体レーザは、GaAs半導体からなる基板と、TlGaP混晶からなる活性層あるいはTlGaP混晶を井戸層とする量子井戸構造からなる活性層とを備える。 |
| 公开日期 | 1999-01-12 |
| 申请日期 | 1997-06-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76564]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尾江 邦重,朝日 一. 半導体レーザ. JP1999008432A. 1999-01-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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