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半導体レーザ装置

文献类型:专利

作者野一色 慶夫; 米山 裕文; 水口 公秀; 別所 靖之; 吉年 慶一
发表日期1994-02-18
专利号JP1994045703A
著作权人SANYO ELECTRIC CO LTD
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ装置
英文摘要(修正有) 【目的】 半導体レーザ素子の後面からの出射光の受光素子への受光量のばらつきの少ない半導体レーザ装置を提供する。 【構成】 位置決め手段を有する第1のリード1上に受光素子7を載置し、前方に主出射面を有する半導体レーザ素子12を受光素子7上又はその前方の第1のリード1上に載置する。半導体レーザ素子の後面近傍から受光素子の受光面までを透光性樹脂19で覆う。半導体レーザ素子と第2のリード13、および受光素子と第3のリード14をそれぞれ接続する第1、第2の金属細線16,17を半導体レーザ素子の光軸中心線に対して左右に振分けて設ける。
公开日期1994-02-18
申请日期1992-07-23
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76569]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位SANYO ELECTRIC CO LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
野一色 慶夫,米山 裕文,水口 公秀,等. 半導体レーザ装置. JP1994045703A. 1994-02-18.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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