半導体光集積素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 青木 雅博; 谷渡 剛; 鈴木 誠 |
| 发表日期 | 1995-06-02 |
| 专利号 | JP1995142699A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光集積素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 本発明は、半導体光集積素子内の集積される各素子の最適な光導波路構造を極めて容易に実現する構造およびその製法を提供することを目的とする。 【構成】 埋め込み型光導波路を形成する埋め込み成長工程と同時にリッジ型光導波路が形成される位置に光導波路と同じ形状の間隙が設けられたパターニング形状を有する絶縁膜マスクを施した半導体基板上に結晶成長を行い半導体の露出した間隙部のみに選択的に選択成長することによりリッジ型光導波路32と埋込型光導波路34が自己整合的に非常に容易に集積可能となる集積光導波路構造およびその製造法をを開示する。 【効果】 リッジ型導波路と埋め込み型導波路のパターニングは同一のフォトレジスト工程で形成されるためそれらの光軸は完全に位置整合している。このため、導波結合損失が極めて少ない、異種導波路の集積構造が極めて容易に実現できる。 |
| 公开日期 | 1995-06-02 |
| 申请日期 | 1993-11-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76579]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 青木 雅博,谷渡 剛,鈴木 誠. 半導体光集積素子及びその製造方法. JP1995142699A. 1995-06-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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