半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 竹見 政義; 杵築 弘隆 |
| 发表日期 | 1995-04-07 |
| 专利号 | JP1995094833A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 素子の信頼性に優れ、長寿命の光変調器付き半導体レーザを得ることを目的とする。 【構成】 通常の1回目のエピタキシャル成長工程により一括してエピタキシャル成長された同一の、かつ均一な層厚の量子井戸構造層103の上層に格子不整合層105を配置することによって該量子井戸構造層のバンドギャップを部分的に異ならしめ、これによって半導体レーザの活性層103aと光変調器の光吸収層103bとを形成するようにした。 【効果】 レーザ光の光変調器への伝達効率を従来に比べて大きく向上することができ、また、半導体レーザの活性層と光変調器の光吸収層の半導体層の品質を非常に優れたものとでき、高信頼性で、かつ、長寿命の光変調器付き半導体レーザが得られる。 |
| 公开日期 | 1995-04-07 |
| 申请日期 | 1993-09-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76593]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹見 政義,杵築 弘隆. 半導体レーザおよびその製造方法. JP1995094833A. 1995-04-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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