半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 兼岩 進治; 幡 俊雄; 細羽 弘之; 須山 尚宏; 近藤 雅文; 大林 健; ▲吉▼田 智彦 |
| 发表日期 | 2001-06-08 |
| 专利号 | JP3197050B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 各レーザ光の波長差を任意にかつ容易に設定でき、簡単なプロセスで製作可能な多波長半導体レーザ素子を提供することにある。 【構成】 複数の独立ストライプを有する半導体レーザ素子において、量子井戸構造により構成されたレーザ発振用活性層14を有する場合は、前記活性層14の井戸幅を各々のストライプで変化させることによりレーザ発振波長を変化させる。又、少なくとも2種類のIII族又はII族の原子を含む混晶により構成されたレーザ発振用活性層を有する場合は、前記活性層の組成を、各々のストライプで変化させることによりレーザ発振波長を変化させる。前記活性層の成長方法として制御性及び再現性に欠ける液相成長法ではなく、分子線エピタキシャル成長法を用いる。 |
| 公开日期 | 2001-08-13 |
| 申请日期 | 1992-03-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76595]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 兼岩 進治,幡 俊雄,細羽 弘之,等. 半導体レーザ素子の製造方法. JP3197050B2. 2001-06-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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