半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 奥村 敏之; 厚主 文弘; 森岡 達也; 松本 成人 |
| 发表日期 | 1993-11-05 |
| 专利号 | JP1993291689A |
| 著作权人 | SHARP CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 高温下におけるキャリアのオーバーフローを低減し、光出力が十分に得られ、かつ遠視野像が真円に近似した半導体レーザ装置を提供する。 【構成】 量子井戸構造の半導体レーザ装置において、量子井戸層3の層数(量子井戸数)が多くなるほど光の閉じ込め係数が大きくなるため、利得が大きくなる。しかし、量子井戸数が適当数以上となると遠視野像の量子井戸層3と垂直な方向の広がり角が大きくなる。よって、量子井戸数を6以上10以下にしている。また、共振器長Lcは、半導体レーザ装置の発熱量を抑える必要があるとともに、閾値電流密度を低減すべく250μm以上700μm以下としている。 |
| 公开日期 | 1993-11-05 |
| 申请日期 | 1992-04-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76618]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHARP CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥村 敏之,厚主 文弘,森岡 達也,等. 半導体レーザ装置. JP1993291689A. 1993-11-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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