光半導体装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 青柳 利隆; 宮崎 泰典 |
| 发表日期 | 1997-08-05 |
| 专利号 | JP1997205255A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【解決手段】 半導体レーザチップ1Aは、p型InP基板2と、上記基板2に形成されたInGaAsP活性層3(光導波路3a)と、上記基板2上に形成されたp-n-pInPブロック層6と、その上に形成されたコンタクト層7と、上記コンタクト層7上に形成された絶縁膜8と、上記絶縁膜8上に形成された表面電極9と、光導波路3aと同時に形成された一対のアライメントマーク10Aと、上記基板2に形成された裏面電極11とを備える。なお、アライメントマーク10Aは光導波路3aと同一材料、つまり同一結晶からなる。 【効果】 光導波路3aとアライメントマーク10Aの位置精度を向上できる。 |
| 公开日期 | 1997-08-05 |
| 申请日期 | 1996-09-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76623]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 青柳 利隆,宮崎 泰典. 光半導体装置及びその製造方法. JP1997205255A. 1997-08-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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