半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 下山 謙司; 清見 和正 |
| 发表日期 | 2000-10-20 |
| 专利号 | JP2000294879A |
| 著作权人 | 三菱化学株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 しきい値電流が低くて、最高発振温度が高く、高信頼性であり、且つ円形に近いビームを形成しうる半導体発光装置を提供すること。 【解決手段】 基板上に、第1導電型のAlGaInP又はAlInPからなるクラッド層、該クラッド層の上に形成されたGaInP又はAlGaInPからなる活性層、該活性層の上に形成された第2導電型のAlGaInP又はAlInPからなる第1クラッド層、該第1クラッド層の上に形成された第2導電型のAlGaAsP又はAlGaAsからなる第2クラッド層、前記活性層の両側面を挟む電流阻止層から少なくとも構成されることを特徴とする半導体発光装置。 |
| 公开日期 | 2000-10-20 |
| 申请日期 | 1999-04-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76626]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱化学株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 下山 謙司,清見 和正. 半導体発光装置. JP2000294879A. 2000-10-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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