半導体レーザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 穴山 親志 |
| 发表日期 | 2001-03-23 |
| 专利号 | JP3171307B2 |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】1回のMOVPE成長でレーザ構造を形成することのできる半導体レーザ装置を提供する。 【構成】上側平坦面及び下側平坦面と、上側及び下側平坦面を接続する斜面を持つIII-V化合物半導体の段差基板と、段差基板の上に形成された下側クラッド層と、下側クラッド層の上に直接形成さた活性層と、活性層の上に直接形成され、一部の厚さ領域に電流ブロック層を含む上側クラッド層とを有し、上側クラッド層において、上側平坦面に沿う領域と斜面に沿う領域との境界と、斜面とのなす角度、もしくは下側クラッド層において、上側平坦面に沿う領域と斜面に沿う領域との境界の延長と、斜面とのなす角度をθとしたとき、下側クラッド層及び上側クラッド層の少なくとも一方のクラッド層のうち、活性層側の少なくとも一部の第1の厚さ領域における角度θと、一方のクラッド層のうち、第1の厚さ領域以外の第2の厚さ領域における角度θとが異なる。 |
| 公开日期 | 2001-05-28 |
| 申请日期 | 1995-06-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76634]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 穴山 親志. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP3171307B2. 2001-03-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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