光半導体集積回路
文献类型：专利
| 作者 | 荻田 省一 |
| 发表日期 | 1995-06-02 |
| 专利号 | JP1995142700A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体集積回路 |
| 英文摘要 | 【目的】 光半導体集積回路に関し、基板上に於いて、積層する半導体層の幅などを変えることなく、且つ、平坦な状態でバンド·ギャップ波長を部分的に変えることができるようにする。 【構成】 基板31上に順に積層形成され格子定数が基板31と相違するコア層33及び格子定数が基板31と同じである保護層34と、保護層34を選択的に除去して表出させたコア層33の部分に形成された回折格子状の凹凸部分33Aと、回折格子状の凹凸部分33Aを含めた全面に形成されてバンド·ギャップ波長が部分的に変化する導波路層(或いは活性層)35が含まれた量子井戸構造とを備える。 |
| 公开日期 | 1995-06-02 |
| 申请日期 | 1993-11-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76651]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 荻田 省一. 光半導体集積回路. JP1995142700A. 1995-06-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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