半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大坪 孝二 |
| 发表日期 | 2007-03-09 |
| 专利号 | JP3924859B2 |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザ及びその製造方法に関し、エッジ·エミッション型或いは面発光型の半導体レーザに酸化物電流狭窄層を作り込むに際し、酸化の深さ、従って、電流注入領域の幅や直径を正確に再現性よく確保できるようにする。 【解決手段】 p-AlAs酸化容易層26を含んで積層形成された化合物半導体層、例えばn側クラッド層22、SCH層23、歪み量子井戸活性層24、SCH層25、p-AlAs酸化容易層26、p側クラッド層27、コンタクト層28などに於けるストライプ電流注入領域26Aの両側に沿って延在するように導入されたGa或いはInなどの三族不純物からなる酸化抑止領域29と、p-AlAs酸化容易層26の外縁からストライプ電流注入領域26Aに向かって延在し且つ前記酸化抑止領域29で終端されてストライプ電流注入領域26Aを画成する化合物半導体酸化物からなる絶縁領域26Bとを備える。 |
| 公开日期 | 2007-06-06 |
| 申请日期 | 1997-09-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76674]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大坪 孝二. 半導体レーザ及びその製造方法. JP3924859B2. 2007-03-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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