半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 国安 利明 |
| 发表日期 | 1998-01-23 |
| 专利号 | JP1998022574A |
| 著作权人 | 富士写真フイルム株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 リッジ型半導体レーザにおいて、リッジ溝を簡単な方法で平坦化する。 【解決手段】 リッジ型半導体レーザにおいて、有機溶媒にAu超微粒子(0.01μm )を混入した溶剤をスピン塗布31して、250 ℃以上の温度でアニールすることによって、リッジ溝を埋めてヒートシンクとの固着面を平坦化する。 |
| 公开日期 | 1998-01-23 |
| 申请日期 | 1996-06-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76677]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士写真フイルム株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 国安 利明. 半導体レーザ. JP1998022574A. 1998-01-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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