半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 齋藤 徹; 佐々井 洋一 |
| 发表日期 | 1997-11-11 |
| 专利号 | JP1997293929A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 ZnSe系化合物半導体を用いた青緑色半導体レーザにおいて、低欠陥の半導体レーザを提供する。 【解決手段】 n型GaAs基板1上にn型GaAsバッファ層2を形成した後、n型Ge層3を形成する。その後、順次n型ZnMgSSeクラッド層5、活性層6〜8、p型ZnMgSSeクラッド層9、p型ZnSSeクラッド層10、p型ZnSe/ZnTeコンタクト層11を形成する。これによって、GaAs基板とZnSe系半導体界面に発生する欠陥が低減され長寿命の半導体レーザが実現する。 |
| 公开日期 | 1997-11-11 |
| 申请日期 | 1996-04-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76679]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 齋藤 徹,佐々井 洋一. 半導体発光素子. JP1997293929A. 1997-11-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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