半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 富田 章久; 仁道 正明; 鈴木 明 |
| 发表日期 | 1996-09-05 |
| 专利号 | JP2556288B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 閾値電流が低く、量子効率が高く、温度特性や高速変調に優れた半導体レーザを提供する。 【構成】 InP基板11上に、ノンドープZnSe0.54Te0.46クラッド層12、ノンドープでバンドギャップ波長が1μm の基板に格子整合したInGaAsPバッファー層13、バンドギャップ波長が35μm で格子定数が基板より0.5%短いInGaAsP井戸層とZnSe0.54Te0.46障壁層をそれぞれ5nmと7nm交互に20層ずつ積層した厚さ0.24μm の量子井戸活性層14、ノンドープでバンドギャップ波長が1μm の基板に格子整合したInGaAsPバッファー層15、ZnSe0.54Te0.46クラッド層16を形成する。導波路24を形成し、一側面にp型コンタクト層18とその上の電極を、他の側面にn型コンタクト層20とその上の電極を形成する。 |
| 公开日期 | 1996-11-20 |
| 申请日期 | 1994-05-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76687]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 富田 章久,仁道 正明,鈴木 明. 半導体レーザ. JP2556288B2. 1996-09-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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