半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 竹見 政義 |
| 发表日期 | 1999-03-30 |
| 专利号 | JP1999087832A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 レーザ特性を悪化させることなく、素子抵抗を低減できる半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 p型AlGaInPクラッド層とn型AlGaInPクラッド層との間に活性層を備え、上記p型AlGaInPクラッド層上にp型GaInPバンド不連続緩和層を介してp型GaAsキャップ層が形成された半導体レーザ装置であって、上記p型AlGaInPクラッド層と上記p型GaInPバンド不連続緩和層との間にさらに、ポテンシャル障壁が段階的に変化するように複数のAlGaInPポテンシャルバリヤ抑制層を形成し、かつ上記各AlGaInPポテンシャルバリヤ抑制層の膜厚を上記p型GaInPバンド不連続緩和層の膜厚より薄く設定した |
| 公开日期 | 1999-03-30 |
| 申请日期 | 1997-09-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76710]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹見 政義. 半導体レーザ装置. JP1999087832A. 1999-03-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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