半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 上野 芳康; 沢野 博之; 富田 章久 |
| 发表日期 | 1996-08-09 |
| 专利号 | JP1996204282A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 可飽和吸収層を備え自励振動を行わせるレーザにおいて、可飽和吸収層を導入したことによって、活性層の光閉じ込め係数が低下したり、光ビーム形状が歪んだりすることのないようにする。 【構成】 活性層107の両側のクラッド層内の活性層から200nm以内の位置に可飽和吸収層105、109を設ける。即ち、n型GaAs基板111上に、n型AlGaInPクラッド層110、n型AlGaInP可飽和吸収層109、膜厚100nmのn型AlGaInPクラッド層108、AlGaInP活性層107、膜厚100nmのp型AlGaInPクラッド層106、p型AlGaInP可飽和吸収層105、p型AlGaInPクラッド層104、を成長させ、クラッド層104を“凸”字形状に加工し、その凸起部を囲むようにn型電流ブロック層103を形成し、さらにp型コンタクト層102を形成する。 |
| 公开日期 | 1996-08-09 |
| 申请日期 | 1995-01-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76713]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 上野 芳康,沢野 博之,富田 章久. 半導体レーザ. JP1996204282A. 1996-08-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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