半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 橋本 順一; 勝山 造; 吉田 伊知朗 |
| 发表日期 | 2001-06-01 |
| 专利号 | JP3194292B2 |
| 著作权人 | 住友電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 AlGaInP系マルチビーム半導体レーザにおいて、ストライプ領域のサーマルクロストーク(相互熱干渉)を抑制する。 【構成】 半導体基板10上にn型AlGaInPクラッド層11とアンドープAlGaInP活性層12とp型AlGaInPクラッド層とをこの順に形成するとともに、複数のストライプ領域14の導通面部とn型AlGaInPクラッド層11とに挟まれた活性層12の通電領域を夫々独立のレーザ発振領域とし、且つ、活性層12の格子定数を各クラッド層11,13の格子定数よりも大にして活性層12に圧縮歪が生じる構造とした。 |
| 公开日期 | 2001-07-30 |
| 申请日期 | 1992-05-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76725]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 橋本 順一,勝山 造,吉田 伊知朗. 半導体レーザ. JP3194292B2. 2001-06-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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