半導体素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 國里 竜也; 野村 康彦; 冨永 浩司; 畑 雅幸 |
| 发表日期 | 1999-10-08 |
| 专利号 | JP1999274560A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 信頼性の高い3族窒化物半導体を用いた半導体素子を提供すると同時に、前記半導体素子を再現性よく提供する。 【構成】 基板1上に3族窒化物半導体からなる能動素子領域を備えた半導体素子であって、該基板1と該能動素子領域との間に、多層構造を有するバッファ層2を備えたことを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1999-10-08 |
| 申请日期 | 1998-03-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76727]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 國里 竜也,野村 康彦,冨永 浩司,等. 半導体素子およびその製造方法. JP1999274560A. 1999-10-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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