半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 村沢 智; 高山 徹; 粂 雅博 |
| 发表日期 | 2010-01-28 |
| 专利号 | JP2010021342A |
| 著作权人 | PANASONIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】再生系光ディスクシステムの光源に十分に使用可能な、安定した自励発振特性を有するIII族窒化物からなる半導体レーザ装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体レーザ装置は、基板11の上に形成され、AlxGa1-xNからなるn型クラッド層13と、n型クラッド層13の上に形成されたMQW活性層15と、MQW活性層15の上に形成され、AlyGa1-yNからなるp型クラッド層19と、p型クラッド層19の上に形成されたp型コンタクト層20と、基板11とn型クラッド層13の間に形成され、AlzGa1-zNからなるn型反射抑制層12とを有している。n型クラッド層13におけるAl組成x、p型クラッド層19におけるAl組成y及びn型反射抑制層12におけるAl組成zは、x |
| 公开日期 | 2010-01-28 |
| 申请日期 | 2008-07-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76734]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | PANASONIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 村沢 智,高山 徹,粂 雅博. 半導体レーザ装置. JP2010021342A. 2010-01-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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