半導体レーザ装置,及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大倉 裕二 |
| 发表日期 | 1997-03-07 |
| 专利号 | JP1997064452A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置,及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザ装置を構成する結晶内部のストレス及び結晶欠陥密度を低減できる信頼性の高い半導体レーザ装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 第1導電型のGaAs基板上101に順次形成された、GaAs基板101と格子整合し,活性層より大きいバンドギャップを有する第1導電型の第1下クラッド層112と、第1下クラッド層112より大きいバンドギャップを有する第1導電型のAlGaAs第2下クラッド層113と、活性層104と、第1上クラッド層より大きいバンドギャップを有する第2導電型のAlGaAs第2上クラッド層114と、GaAs基板101に格子整合し,かつ活性層104より大きいバンドギャップを有する第2導電型の第1上クラッド層117と、第2導電型のGaAsコンタクト層111とを備えたものである。 |
| 公开日期 | 1997-03-07 |
| 申请日期 | 1995-08-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76749]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大倉 裕二. 半導体レーザ装置,及びその製造方法. JP1997064452A. 1997-03-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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