半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 三橋 豊 |
| 发表日期 | 1993-02-26 |
| 专利号 | JP1993048210A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 活性層の両脇にサイリスタ構造からなる電流狭搾層を備えた半導体レーザ装置における電流狭搾層のターンオフを防止し、電流ブロック効果を向上ささせる。 【構成】 活性層の両脇に形成されたサイリスタ構造からなる電流狭搾層内で、動作時に順方向バイアスが印加される少なくとも1つのpn接合を金属電極または低抵抗物質で電気的に短絡する。 |
| 公开日期 | 1993-02-26 |
| 申请日期 | 1991-08-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76759]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 三橋 豊. 半導体レーザ装置. JP1993048210A. 1993-02-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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