半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 竹見 政義; 木村 達也 |
| 发表日期 | 1998-07-21 |
| 专利号 | JP1998190145A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 p型ドーパントの他の層への拡散を抑制できるとともに、再現性良く、設計通りの所望の半導体装置を得ること。 【解決手段】 (EtCp)2 Mgをp型ドーピング原料として用いて、p-(Alx Ga1-x )y In1-y P第1クラッド層5aをアンドープ活性層4上に結晶成長させるようにした。 |
| 公开日期 | 1998-07-21 |
| 申请日期 | 1996-12-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76779]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹見 政義,木村 達也. 半導体装置の製造方法. JP1998190145A. 1998-07-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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