半導体光素子
文献类型：专利
| 作者 | 古嶋 裕司 |
| 发表日期 | 1996-05-17 |
| 专利号 | JP1996125271A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】pn電流阻止層よりもバンドギャップの小さな材料をクラッド層に用いて、当該電流阻止層による電流狭窄性を高め、リーク電流が少なく優れた特性を有する半導体光素子を提供する。 【構成】活性層上下のクラッド層の少なくとも一部がInPと格子整合し、かつ、室温でのバンドギャップがダブルヘテロ構造の側部に埋め込み形成されたpn逆接合の電流阻止層のInPよりも小さな半導体層からなる。 |
| 公开日期 | 1996-05-17 |
| 申请日期 | 1994-10-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76807]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 古嶋 裕司. 半導体光素子. JP1996125271A. 1996-05-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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