半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 栗林 均 |
| 发表日期 | 1995-12-08 |
| 专利号 | JP1995321408A |
| 著作权人 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】光学情報記録/再生装置のピックアップ光学系に用いた場合、戻り光ノイズの発生が少ない半導体レーザ素子を得る。 【構成】GaAs半導体基板1上に第一クラッド層3,活性層4,第二クラッド層5,キャップ層12を付加してこの順に積層した後、電流流路に相当する領域を残して電流狭窄層9を形成し、さらに第三クラッド層13,コンタクト層6を順次形成した後、さらに活性層4表面のストライプ部上に凹凸を形成して、その後に第三クラッド層13,コンタクト層6を順次形成することにより、得られる半導体レーザ素子のレーザ光スペクトルモードはマルチモードとなり、素子の発振レーザ光の可干渉性を下げ、ピックアップ光学系に用いた場合の戻り光による発振レーザ光のノイズを低減させることができる。 |
| 公开日期 | 1995-12-08 |
| 申请日期 | 1994-05-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76835]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 栗林 均. 半導体レーザ素子の製造方法. JP1995321408A. 1995-12-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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