Semiconductor laser
文献类型：专利
| 作者 | GOMYO AKIKO |
| 发表日期 | 1989-08-17 |
| 专利号 | JP1989204487A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Semiconductor laser |
| 英文摘要 | PURPOSE:To enhance the performance and reliability of a head for an optical disk by forming first and second double hetero structure semiconductor lasers on the same substrate. CONSTITUTION:First and second double hetero structure semiconductor lasers are formed on the same GaAs substrate 101, the first double hetero structure semiconductor laser is formed of Ga0.5In0.5P, or (AlxGa1-x)0.5In0.5P (0 |
| 公开日期 | 1989-08-17 |
| 申请日期 | 1988-02-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76850]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | GOMYO AKIKO. Semiconductor laser. JP1989204487A. 1989-08-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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