半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 斉藤 和徳; 宮内 恵一 |
| 发表日期 | 1997-06-24 |
| 专利号 | JP1997167872A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザの劣化防止による長寿命化。 【解決手段】 第1導電型の化合物半導体層(n-AlGaAs層)と第2導電型の化合物半導体層(p-AlGaAs層)との間に活性層(GaAs層)を有し、かつ前記p-AlGaAs層の表面部分を帯状に突出させたリッジとした半導体レーザ素子であって、前記リッジと活性層との間に前記p-AlGaAs層の表面(リッジの曲面部分)から延びる結晶欠陥の進行を停止させるp-GaInP層で形成した劣化防止層が設けられている。第1·第2導電型の化合物半導体層はAlの混晶比が同一となるGaAlAsで形成されている。 |
| 公开日期 | 1997-06-24 |
| 申请日期 | 1995-12-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76852]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 斉藤 和徳,宮内 恵一. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP1997167872A. 1997-06-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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